WSD100N15DN56G N-κανάλι 150V 100A DFN5X6-8 WINSOK MOSFET

Αριθμός ανταλλακτικού:WSD100N15DN56G

BVDSS:150V

ΤΑΥΤΟΤΗΤΑ:100Α

RDSON:6mΩ

Κανάλι:Ν-κανάλι

Πακέτο:DFN5X6-8

Αποστολή Ερώτησης PDF

Λεπτομέρεια προϊόντος

Η τάση του MOSFET WSD100N15DN56G είναι 150V, το ρεύμα είναι 100A, η αντίσταση είναι 6mΩ, το κανάλι είναι N-κανάλι και η συσκευασία είναι DFN5X6-8.

Ιατρικά τροφοδοτικά MOSFET, PDs MOSFET, drones MOSFET, ηλεκτρονικά τσιγάρα MOSFET, μεγάλες συσκευές MOSFET και ηλεκτρικά εργαλεία MOSFET.

Σύμβολο	Παράμετρος	Εκτίμηση	Μονάδες
VDS	Τάση πηγής αποστράγγισης	150	V
VGS	Πύλη-Τάση πηγής	±20	V
ID	Συνεχές ρεύμα αποστράγγισης, V_GS@ 10V(Τ_C=25℃)	100	A
IDM	Παλμικό ρεύμα αποστράγγισης	360	A
ΕΑΣ	Ενέργεια χιονοστιβάδας ενός παλμού	400	mJ
P_D	Ολική απαγωγή ενέργειας..._C=25℃)	160	W
RθJA	Θερμική αντίσταση, διασταύρωση-περιβάλλον	62	℃/Δ
RθJC	Θερμική αντίσταση, θήκη διασταύρωσης	0,78	℃/Δ
TSTG	Εύρος θερμοκρασίας αποθήκευσης	-55 έως 175	℃
T_J	Εύρος θερμοκρασίας κόμβου λειτουργίας	-55 έως 175	℃

Σύμβολο	Παράμετρος	Συνθήκες	Ελάχ.	Τυπ.	Μέγ.	Μονάδα
BV_DSS	Τάση βλάβης πηγής αποστράγγισης	V_GS=0V, I_D=250uA	150	---	---	V
RDS(ON)	Στατική αντίσταση πηγής αποστράγγισης²	V_GS=10V, I_D=20Α	---	9	12	mΩ
VGS(ο)	Τάση κατωφλίου πύλης	V_GS=V_DS, Ι_D=250uA	2.0	3.0	4.0	V
IDSS	Ρεύμα διαρροής πηγής αποστράγγισης	V_DS=100V, V_GS=0V, T_J=25℃	---	---	1	uA
IGSS	Ρεύμα διαρροής πύλης-πηγής	V_GS=±20V, V_DS=0V	---	---	±100	nA
Q_g	Συνολική χρέωση πύλης	V_DS=50V, V_GS=10V, I_D=20Α	---	66	---	nC
Q_gs	Χρέωση Πύλης-Πηγής		---	26	---
Q_gd	Φόρτιση Πύλης-Αποστράγγισης		---	18	---
Td(on)	Χρόνος καθυστέρησης ενεργοποίησης	V_DD= 50 V,V_GS=10V R_G=2Ω, I_D=20Α	---	37	---	ns
T_r	Ώρα ανόδου		---	98	---
Td(off)	Χρόνος καθυστέρησης απενεργοποίησης		---	55	---
T_f	Φθινοπωρινή ώρα		---	20	---
C_iss	Χωρητικότητα εισόδου	V_DS=30V, V_GS=0V, f=1MHz	---	5450	---	pF
Coss	Χωρητικότητα εξόδου		---	1730	---
C_rss	Αντίστροφη χωρητικότητα μεταφοράς		---	195	---