WSD100N06GDN56 N-κανάλι 60V 100A DFN5X6-8 WINSOK MOSFET
Επισκόπηση προϊόντος WINSOK MOSFET
Η τάση του WSD100N06GDN56 MOSFET είναι 60V, το ρεύμα είναι 100A, η αντίσταση είναι 3mΩ, το κανάλι είναι N-κανάλι και η συσκευασία είναι DFN5X6-8.
Περιοχές εφαρμογής WINSOK MOSFET
Ιατρικά τροφοδοτικά MOSFET, PDs MOSFET, drones MOSFET, ηλεκτρονικά τσιγάρα MOSFET, μεγάλες συσκευές MOSFET και ηλεκτρικά εργαλεία MOSFET.
Το WINSOK MOSFET αντιστοιχεί σε άλλους αριθμούς υλικών μάρκας
AOS MOSFET AON6264C,AON6264E,AON6266E,AONS6662.STMicroelectronics MOSFET STL13N6F7,STL14N6F7.PANJIT MOSFET PSMQC33N6NS1.POTENS Semiconductor MOS69ET.
Παράμετροι MOSFET
| Σύμβολο | Παράμετρος | Εκτίμηση | Μονάδες | ||
| VDS | Τάση πηγής αποστράγγισης | 60 | V | ||
| VGS | Πύλη-Τάση πηγής | ±20 | V | ||
| ID1,6 | Συνεχές ρεύμα αποστράγγισης | TC=25°C | 100 | A | |
| TC=100°C | 65 | ||||
| IDM2 | Παλμικό ρεύμα αποστράγγισης | TC=25°C | 240 | A | |
| PD | Μέγιστη απαγωγή ισχύος | TC=25°C | 83 | W | |
| TC=100°C | 50 | ||||
| IAS | Ρεύμα χιονοστιβάδας, μεμονωμένος παλμός | 45 | A | ||
| ΕΑΣ3 | Ενέργεια χιονοστιβάδας ενός παλμού | 101 | mJ | ||
| TJ | Μέγιστη θερμοκρασία διακλάδωσης | 150 | ℃ | ||
| TSTG | Εύρος Θερμοκρασίας Αποθήκευσης | -55 έως 150 | ℃ | ||
| RθJA1 | Θερμική αντίσταση Διασταύρωση με το περιβάλλον | Σταθερή κατάσταση | 55 | ℃/W | |
| RθJC1 | Θερμική αντίσταση-Διασύνδεση με θήκη | Σταθερή κατάσταση | 1.5 | ℃/W | |
| Σύμβολο | Παράμετρος | Συνθήκες | Ελάχ. | Τυπ. | Μέγιστη. | Μονάδα | |
| Στατικός | |||||||
| V(BR)DSS | Τάση βλάβης πηγής αποστράγγισης | VGS = 0V, ID = 250μA | 60 | V | |||
| IDSS | Ρεύμα αποστράγγισης τάσης μηδενικής πύλης | VDS = 48 V, VGS = 0V | 1 | μΑ | |||
| TJ=85°C | 30 | ||||||
| IGSS | Ρεύμα διαρροής πύλης | VGS = ±20V, VDS = 0V | ±100 | nA | |||
| Σχετικά με τα Χαρακτηριστικά | |||||||
| VGS(TH) | Τάση κατωφλίου πύλης | VGS = VDS, IDS = 250µA | 1.2 | 1.8 | 2.5 | V | |
| RDS(ενεργό)2 | Αντίσταση σε κατάσταση αποστράγγισης | VGS = 10V, ID = 20A | 3.0 | 3.6 | mΩ | ||
| VGS = 4,5V, ID = 15A | 4.4 | 5.4 | mΩ | ||||
| Εναλλαγή | |||||||
| Qg | Συνολική χρέωση πύλης | VDS=30V VGS=10V ID=20Α | 58 | nC | |||
| Qgs | Gate-Sour Charge | 16 | nC | ||||
| Qgd | Φόρτιση Πύλης-Αποστράγγισης | 4.0 | nC | ||||
| td (on) | Χρόνος καθυστέρησης ενεργοποίησης | VGEN=10V VDD=30V ID=20Α RG=Ω | 18 | ns | |||
| tr | Χρόνος ανόδου ενεργοποίησης | 8 | ns | ||||
| td(off) | Χρόνος καθυστέρησης απενεργοποίησης | 50 | ns | ||||
| tf | Απενεργοποίηση Φθινοπωρινή ώρα | 11 | ns | ||||
| Rg | Αντίσταση πύλης | VGS=0V, VDS=0V, f=1MHz | 0,7 | Ω | |||
| Δυναμικός | |||||||
| Ciss | Σε Χωρητικότητα | VGS=0V VDS=30V f=1MHz | 3458 | pF | |||
| Coss | Έξω χωρητικότητα | 1522 | pF | ||||
| Crss | Αντίστροφη χωρητικότητα μεταφοράς | 22 | pF | ||||
| Χαρακτηριστικά διόδου πηγής αποστράγγισης και μέγιστες βαθμολογίες | |||||||
| IS1,5 | Συνεχές ρεύμα πηγής | VG=VD=0V , Ρεύμα δύναμης | 55 | A | |||
| ΘΕΩΡΙΑ | Ρεύμα παλμικής πηγής3 | 240 | A | ||||
| VSD2 | Μπροστινή τάση διόδου | ISD = 1A , VGS=0V | 0,8 | 1.3 | V | ||
| trr | Χρόνος Αντίστροφης Ανάκτησης | ISD=20Α, δλSD/dt=100A/μs | 27 | ns | |||
| Qrr | Αντίστροφη χρέωση ανάκτησης | 33 | nC | ||||
